CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB11NM60FDT4 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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関連部品
STMicroelectronicsSTB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13.5 A, 600 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB13NK60ZT4
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A D2PAK Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
説明
STMicroelectronics STB11NM60FDT4の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 600 V 0.45 Ohm Surface Mount FDMesh Power MosFet - D2PAK-3
N-CHANNEL 600V - 0.4 - 11A Mdmesh(TM); Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
TRANS MOSFET N-CH 600V 11A 3PIN D2PAK
Power MOSFET Transistors N-Ch 600 Volt 11 Amp
N-CH 600V 11A 450mOhm TO263-3 RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC REG LINEAR 2.8V 250MA 6WSON
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance900 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)600 V