CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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関連部品
STMicroelectronicsSTB10N65K3
N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
説明
STMicroelectronics STB10N95K5の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK / N-Channel 950 V 8A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in D2PAK package
Mosfet, N-Ch, 950V, 8A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB10N95K5
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 950V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation130 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time22 ns