価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-STB10N60M2CT-ND | 203 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB10N60M2 | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | STB10N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB10N60M2 | 0 | 1K | |||||||||
| Mouser | 511-STB10N60M2 | 1,071 | 1 | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STB10N60M2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTB11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB8NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 1 Ohm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTB6NK60ZT4
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
説明
STMicroelectronics STB10N60M2の詳細は販売業者から提供されます。
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB10N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 650 V, 3-Pin D2PAK
N-Channel 600 V 0.6 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
(CP22-1034) Transistor STB10N60M2 600V N Chanel Mosfet TO263
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation85 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm