CADモデル
製造元 STMicroelectronics PD20010-E のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2022-06-14
LTD Date2022-12-14
関連部品
STMicroelectronicsPD20010TR-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
STMicroelectronicsPD85015TR-E
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
説明
STMicroelectronics PD20010-Eの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin (2+2Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs
10W 13.6V 2GHz LDMOS in PowerSO-10RF plastic package
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
RF TRANSISTOR, 40V, 2GHZ, POWERSO-10RF; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: 5A; Power Dissipation Pd: 59W; Operating Frequency Min: -; Operating Frequency Max: 2GHz; RF Transistor Case: PowerSO-10RF; No
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Gain10 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Max Operating Temperature165 °C
Max Output Power15 W
Max Power Dissipation59 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage13.6 V
Output Power10 W
Power Dissipation59 W
Power Gain11 dB
Test Current150 mA
Test Voltage13.6 V
Voltage Rating40 V