STMicroelectronics IRF630

Name: STMicroelectronics IRF630
Brand: STMicroelectronics
SKU: IRF630

N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 9 A Power MOSFET in D2PAK package

$ 0.598

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	IRF630	3,000	50	Tube			0.425	0.405	0.380
Arrow Electronics		IRF630	2,785	1		0.995	0.995	0.816	0.597	0.552
Verical	2	IRF630	1,911	13				0.809	0.592	0.483
TME	2	IRF630	993	1		1.590	1.092	0.792	0.593	0.495	18h
DigiKey		497-2757-5-ND	6,862	1	Tube	2.320	2.320	1.010	0.739	0.588

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説明

STMicroelectronics IRF630の詳細は販売業者から提供されます。

N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 9 A Power MOSFET in D2PAK package

STMicroelectronics

In a Tube of 50, IRF630 N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics

Fly-Wing Technology

POWER MOSFET, N-CH, VDSS 200V, RDS(ON) 0.35OHM, ID 9A, TO-220,PD 75W, VGS+/-20V, GFS 4S

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Through Hole

Avnet

200V 9A 75W 400m´Î@10V4.5A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd:

Farnell