CADモデル
製造元 STMicroelectronics BUZ80A のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
STMicroelectronics BUZ80Aの詳細は販売業者から提供されます。
3.8A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
Trans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Not available to order REORD 511-STP4NB80 TO-220AB N-CH 800V
Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage800 V
Number of Elements1
Power Dissipation100 W