CADモデル
製造元 STMicroelectronics BUTW92 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
説明
STMicroelectronics BUTW92の詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 180 W, 60 A, 9 hFE
TRANS NPN 250V 45A TO247-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 45 A 180 W Through Hole TO-247-3
BUTW92 Series NPN 250 V 60 A 180 W Flange Mount Silicon Transistor - TO247
Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 250V 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
BUTW92 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 60 A, 250 V, 3-PIN TO-247
NPN BJT Transistor, 250V VCEO, 15A IC, TO-247
NPN TRANSISTOR 250V 60A TO247 RoHSconf
STMicroelectronics NPNTransistor, TO-247encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current60 A, maximum collector-emission voltage250 V
TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-247; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 180W; DC Collector Current: 60A; DC Current Gain hFE: 9hFE; Transistor Case S
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)500 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating15 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min9
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation180 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height20.3 mm
Length15.9 mm
Width5.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant