CADモデル
製造元 STMicroelectronics BD139-16 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginIndia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
説明
STMicroelectronics BD139-16の詳細は販売業者から提供されます。
Single Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, 3 Pins, Through Hole
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; -65+150 deg.C; THT; TO126
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
80V 12.5W 100@150mA,2V 1.5A NPN SOT-32-3 Bipolar (BJT) ROHS
BD139 Series 80 V 1.5 A Through Hole NPN Epitaxial Planar Transistor - SOT-32
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD139-16 NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 80 V, 3-PIN SOT-32
Transistor Bipolar NPN 80V 1.5A SOT32
RS APAC
TRANSISTOR, BJT, NPN, 80V, 1.5A, SOT-32; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1.25W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Tran
Transistor, Npn, Sot-32; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:80V; Frecuencia De Transición Ft:-; Disipación De Potencia Pd:1.25W; Corriente De Colector Dc:1.5A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:40 |Stmicroelectronics BD139-16
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-32
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height10.8 mm
Length7.8 mm
Width2.7 mm