CADモデル
製造元 STMicroelectronics A2P75S12M3 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-03-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15
説明
STMicroelectronics A2P75S12M3の詳細は販売業者から提供されます。
Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 75A; |Stmicroelectronics A2P75S12M3
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 454.5W 15-Pin ACEPACK-2 Tray
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Transistor IGBT Module N-CH 1.2kV 75A ±20V Screw
Avnet Japan
ACEPACK 2 sixpack topology, 1200 V, 75 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC
Ciiva
IGBT MOD 1200V 75A ACEPACK2 / IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 75 A 454.5 W Chassis Mount ACEPACK™ 2
IGBT MODULE 1200V 75A ACEPACK 2
IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2
ACEPACK2 75A 1.2KV IGBT MODULE
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.95V; Power Dissipation Pd: 454.5W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transist
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Number of Terminals33
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current75 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation454.5 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements6
Schedule B8541290080