STARPOWER GD600HFY120C2S

晶体管, Igbt 模块, 1.2KV, 1KA, 150度 C, 3.409KW;
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説明

STARPOWER GD600HFY120C2Sの詳細は販売業者から提供されます。

晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 1KA, 150度 C, 3.409KW;
element14 APAC
IGBT MOD, 1.2KV, 1KA, 150DEG C, 3.409KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 1kA; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 3.409kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2
Farnell
Igbt Mod, 1.2Kv, 1Ka, 150Deg C, 3.409Kw; Continuous Collector Current:1Ka; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:3.409Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD600HFY120C2S
Newark

メーカーの別名

STARPOWERは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STARPOWER は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG