STARPOWER GD300HFY120C2S

Name: STARPOWER GD300HFY120C2S
Brand: STARPOWER
SKU: GD300HFY120C2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 444A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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Newark		GD300HFY120C2S	0	12			113.61	113.61	113.61
Farnell		GD300HFY120C2S	0	12			85.718*	85.718*	85.718*	19h
IC Components Ltd.		GD300HFY120C2S	28,400		65.520	65.520	65.520	65.520	65.520	20h
YIC International		GD300HFY120C2S	28,300		65.456	65.456	65.456	65.456	65.456	>1wk

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IHS

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 444A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

IHS

晶体管, IGBT 模块, 1.2KV, 600A, 150度 C, 2.941KW;

element14 APAC

Starpower GD300HFY120C2S IGBTモジュール

RS APAC

IGBT MOD, 1.2KV, 600A, 150DEG C, 2.941KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 2.941kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1

Farnell

Igbt Mod, 1.2Kv, 600A, 150Deg C, 2.941Kw; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:2.941Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD300HFY120C2S

Newark