STARPOWER GD200HFY120C2S

Name: STARPOWER GD200HFY120C2S
Brand: STARPOWER
SKU: GD200HFY120C2S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 309A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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Distributor	SKU		Min
Newark	GD200HFY120C2S	3	1	108.65	104.23	101.99	97.550	97.550
Farnell	GD200HFY120C2S	0	1	98.013*	85.713*	84.359*	84.359*	84.359*	3h
element14 APAC	GD200HFY120C2S	0	1	109.06*	92.642*	88.250*	88.250*	88.250*	16h
IC Components Ltd.	GD200HFY120C2S	28,400		56.510	56.510	56.510	56.510	56.510	1d
YIC International	GD200HFY120C2S	28,300		56.280	56.280	56.280	56.280	56.280	8h

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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 309A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Starpower GD200HFY120C2S IGBTモジュール

RS APAC

IGBT MOD, 1.2KV, 309A, 150DEG C, 1.006KW; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 309A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2V; Power Dissipation Pd: 1.006kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1

Farnell

Igbt Mod, 1.2Kv, 309A, 150Deg C, 1.006Kw; Continuous Collector Current:309A; Collector Emitter Saturation Voltage:2V; Power Dissipation:1.006Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel Rohs Compliant: Yes |Starpower GD200HFY120C2S

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