CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-03-20
LTD Date2013-06-30
説明
Sharp GP2S40J0000Fの詳細は販売業者から提供されます。
Diffuse Photoelectric Sensor, 3mm Min, 3mm Max, 0.50-3mA, Rectangular, Through Hole Mount
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Ultra Compact DIP
Photointerrupters Photointerrupter 3.0mm
PHOTOINTERRUPTER REFLEC 3MM PC
PHOTOINTERRUPTER, SUB, MIN; No. of Channels:1; Output Type:Transistor; Input Current:50mA; Voltage, Output Max:35V; Case Style:DIP-4; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:35V; Current Ic Max:3mA; Current, If Max:50mA; External Depth:4.0mm; External Length / Height:2.4mm; No. of Pins:4; Optocoupler Type:Opto Switch; Power Dissipation:175mW; Reflective Sensing Distance:4mm; Temp, Op. Max:85°C; Temp, Op. Min:-25°C; Time, Fall:50µs; Time, Rise:50µs; Voltage, Vf Max:1.4V; Voltage, Vf Typ:1.2V; Width, External:4.0mm; Current, Ic Typ:20mA; Max Reverse Leakage Current:10.0µA
メーカーの別名
Sharpは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Sharp は以下の名前でも知られているかもしれません：
- SHARP/Socle Technology
- SHARP CORP
- SHARP CORPORATION
- SHARPELEC
- SHARP ELECTRONICS
- SHARP ELECTRONICS CORP
- Sharp Integrated Circuits
- Sharp Electronics Corporation Device Division(SECD)
- SHARP ELECTRONICS(EUROPE)GMBH
- Sharp Microelectronics
- SHARP ASIA
- Sharp Electronic Components
- SHARP ELECTRONICS CORPORATION
- JEL SYSTEM CO LTD
- Sharp DAT
- Socle Technology
- Socle Technology Corporation
- SHARP Devices Europe GmbH
- SHARP/OCIC
- SHARP ELECTRONI
- SHARP Datasheet
- SHARP/Socle
- SOCLE Technology
技術仕様
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingCopper, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Current Rating20 mA
Fall Time50 µs
Forward Current20 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Voltage1.4 V
Min Operating Temperature-25 °C
Min Supply Voltage1.2 V
Number of Elements1
Output Current20 mA
Output TypePhototransistor
Power Dissipation100 mW
Response Time50 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Rise Time50 µs
Sensing Distance3 mm
Wavelength950 nm
Dimensions
Height2.4 mm
Length4 mm