価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | GP1S097HCZ0F | 392 | 1 | 3h | ||||||||
| Schukat | GP1S097HCZ0F | 2,120 | 10 | 6h | ||||||||
| Microchip USA | GP1S097HCZ0F | 338 | 3500 | Tube | 2d | |||||||
| Component Stockers USA | GP1S097HCZ0F | 2,688 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-GP1S097HCZ0F | 35,000 | 100 | 5h |
CADモデル
製造元 Sharp GP1S097HCZ0F のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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説明
Sharp GP1S097HCZ0Fの詳細は販売業者から提供されます。
Through-Beam 2mm 50¦Ìs,50¦Ìs Phototransistor PCB, 4.5mm*2.6mm*4.5mm
Gap : 2mm, Slit : 0.3mm Phototransistor Output, Compact Transmissive Photointerrupter | SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
PHOTOINTERRUPTER; No. of Channels:1; Output Type:Phototransistor; Input Current:50mA; Case Style:Slotted Switch; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:35V; Current Ic Max:20mA; External Depth:2.6mm; External Length / Height:4.5mm; Lead Spacing:3.55mm; Power Dissipation:100mW; Row Pitch:2mm; Termination Type:Radial Leaded; Time, Fall:50µs; Time, Rise:50µs; Voltage, Vf Max:1.4V; Voltage, Vf Typ:1.2V; Width, External:4.5mm; Width, Gap:2mm
メーカーの別名
Sharpは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Sharp は以下の名前でも知られているかもしれません：
- SHARP/Socle Technology
- SHARP CORP
- SHARP CORPORATION
- SHARPELEC
- SHARP ELECTRONICS
- SHARP ELECTRONICS CORP
- Sharp Integrated Circuits
- Sharp Electronics Corporation Device Division(SECD)
- SHARP ELECTRONICS(EUROPE)GMBH
- Sharp Microelectronics
- SHARP ASIA
- Sharp Electronic Components
- SHARP ELECTRONICS CORPORATION
- JEL SYSTEM CO LTD
- Sharp DAT
- Socle Technology
- Socle Technology Corporation
- SHARP Devices Europe GmbH
- SHARP/OCIC
- SHARP ELECTRONI
- SHARP Datasheet
- SHARP/Socle
- SOCLE Technology
技術仕様
Physical
Contact PlatingCopper, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Dark Current100 nA
Fall Time150 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current50 mA
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Current20 mA
Power Dissipation100 mW
Response Time50 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Rise Time150 µs
Sensing Distance2.0066 mm
Dimensions
Height4.5 mm
Length4.5 mm
Width2.6 mm