Semikron SKM200GB12E4

Name: Semikron SKM200GB12E4
Brand: Semikron
SKU: SKM200GB12E4

Igbt, D-56, Igbt, 1200 V, 310 A, 1200 V, 20 V, 5.5 V (typ.)

$ 240.37

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Farnell

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TME

element14 APAC

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

説明

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Igbt, D-56, Igbt, 1200 V, 310 A, 1200 V, 20 V, 5.5 V (typ.)

Win Source

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: -; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Tra

Farnell

IGBT MODULE, 1.2 KV, 313 A, MODULE; Continuous Collector Current:313A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.8V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:175°C; IGBT Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:1.2kV RoHS Compliant: Yes

Newark

Features: IGBT4 = 4. Generation (Trench)IGBT V CEsat with positive temperature coefficient High short circuit capability, self limiting to 6 x I CNOM Soft switching 4. Generation CAL diode (CAL4) UL recognized, file no. E63532 Typical Applications: AC inverter drives UPS Electronic welders at f sw up to 20 kHz

Semikron