説明
Samsung IRF720の詳細は販売業者から提供されます。
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
メーカーの別名
Samsungは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Samsung は以下の名前でも知られているかもしれません：
- SAM
- SEC
- Samsung Semiconductor Inc
- Samsung Semiconductor
- SAMSUN
- SAMSUNG ELECTRONICS
- SAMS
- SAMSUNG LED
- SAMSUMG
- SAMSU
- SUMSUNG
- SMG
- KOREA
- SAMAUNG
- SMS
- SAMSUNG SEMI
- SAMSUNG ELECTRONICS INC
- Samsung Electronics Co Ltd
- SAMSUNG SEMICONDUCTO
- SAMSUNG ELECTRO
- SAMUNG
- SANSUNG
- Samsung Electronics (SEC)
- SMM
- SLD
技術仕様
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current33 A
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage400 V
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Voltage400 V