価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST73460386 | 3,250 | 1 | 22h | ||||||||
| Arrow Electronics | RZF013P01TL | 6,032 | 1 | |||||||||
| Verical | RZF013P01TL | 6,032 | 13 | |||||||||
| TTI | RZF013P01TL | 3,000 | 3K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| TME | RZF013P01TL | 0 | 1 | 2h |
CADモデル
製造元 ROHM RZF013P01TL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-05
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
関連部品
VishaySI5935CDC-T1-E3
1.3W 8V 1V@ 250¦ÌA 11nC@ 5V 2P 20V 100m¦¸@ 3.1A,4.5V 4A 455pF@10V CHIPFET-8 3.05mm*1.65mm*1.1mm
説明
ROHM RZF013P01TLの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET P-CH Si 12V 1.3A 3-Pin TUMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ROHM PMOS RZF013P01, Vds=12 V, 1.3 A, SOT-323, , 3
MOSFET, P-CH, -12V, -1.3A, SOT-323T; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -1.3A; Drain Source Voltage Vds: -12V; On Resistance Rds(on): 0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 800mW; Transistor Case Style: SOT-323T; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Drain to Source Resistance260 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Input Capacitance290 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Number of Elements1
Rds On Max260 mΩ