CADモデル
製造元 ROHM RTR030P02TL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2027-07-31
LTD Date2028-03-31
関連部品
InfineonIRLML6402TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -3.7A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-12V
InfineonIRLML6402GTRPBF
Single P-Channel 20 V 1.3 W 8.0 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23
InfineonIRLML2246TRPBF
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
説明
ROHM RTR030P02TLの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET 1W(Ta) 12V 2V@1mA 9.3nC@4.5V P-Ch 20V 75mΩ@3A,4.5V 3A 840pF@10V TSMT-3 SMD 1mm H
P-Channel 1 W -20 V 125 mOhm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - TSMT-3
MOSFET, P, 20V, 3A; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 3.2A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.125ohm; Rds(on) Test; Available until stocks are exhausted Alternative available
Mosfet, P, 20V, 3A; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:3.2A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):125Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V; Tensión Umbral Vgs:-2V |Rohm RTR030P02TL
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating-3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance840 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1 W
Rds On Max75 mΩ
Resistance55 MΩ
Rise Time20 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-20 V