CADモデル
製造元 ROHM RSF010P05TL のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-28
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN4060SVT-7
Mosfet, N-Ch, 45V, 4.8A, Tsot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4060SVT-7
onsemiMCH6444-TL-W
Mosfet Transistor, N Channel, 2.5 A, 35 V, 0.075 Ohm, 10 V, 2.6 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIRFL014NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V
説明
ROHM RSF010P05TLの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 / Trans MOSFET P-CH Si 45V 1A 3-Pin TUMT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-Channel 45 V 1 A (Ta) 800 mW (Ta) Surface Mount Mosfat - TUMT3
ROHM PMOS RSF010P05, Vds=45 V, 1 A, SOT-323, , 3
MOSFET, P-CH, -45V, -1A, TUMT; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -1A; Drain Source Voltage Vds: -45V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.5V; Power Dissipation Pd: 800mW; Transistor Case Style: TUMT; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-45 V
Drain to Source Resistance460 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)45 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance160 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage45 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max460 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time6 ns