CADモデル
製造元 ROHM RPI-441C1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
説明
ROHM RPI-441C1の詳細は販売業者から提供されます。
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output PHOTOINTERRUPTER 4mm Gap 8.0x4.2mm
Small 50 mA 30 V 800 nm Through Hole 4 mm Gap Photointerrupter
DIP-4 Photointerrupters - Slot Type - Transistor Output ROHS
Photointerrupter Transmissive 4mm Phototransistor 4-Pin Bulk
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 4mm Slot Width
ROHM RPI-441C1 Through Hole Slotted Optical Switch, Phototransistor Output | ROHM Semiconductor RPI-441C1
ROHM , RPI, 1, 4mm, , 8 x 4.2 x 5.2mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSOR OPTO SLOT 4MM TRANS THRU
OPTOSWITCH; No. of Channels:1; Voltage, Output Max:30V; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Power Dissipation:80mW; Voltage, Vf Max:1.6V; Forward Current If:50mA ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current500 nA
Fall Time10 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation80 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation80 mW
Response Time10 µs
Rise Time10 µs
Sensing Distance3.9878 mm
Voltage Rating (DC)1.3 V
Wavelength950 nm
Dimensions
Height5.2 mm
Length8 mm
Width4.2 mm