CADモデル
製造元 ROHM RPI-243 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Introduction Date1993-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2017-08-31
LTD Date2018-02-28
説明
ROHM RPI-243の詳細は販売業者から提供されます。
Small 50 mA 30 V 800 nm Through Hole 2 mm Gap Photointerrupter
DIP-4 Photointerrupters - Slot Type - Transistor Output ROHS
Photointerrupter Transmissive 2mm Phototransistor 4-Pin Bulk
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 2mm Slot Width
ROHM RPI-243 Through Hole Slotted Optical Switch, Phototransistor Output | ROHM Semiconductor RPI-243
Slotted Optical Switch,30V,30mA,10us,2mm
RS APAC
ROHM , RPI, 1, 2mm, , 5 x 4.2 x 5.2mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU
4.2X5.2MM P IRUPT 2MM GAP 50MA
OPTOSWITCH; Sensor Output:PhotoTransistor; Mounting:Through Hole; Gap Width:2mm; Aperture Width:0.4mm; Forward Current If:50mA; Reverse
OPTOSWITCH; No. of Channels:1; Voltage, Output Max:30V; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Power Dissipation:80mW; Voltage, Vf Max:1.6V; Forward Current If:50mA ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current500 nA
Fall Time10 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.3 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Current30 mA
Max Supply Current50 mA
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation80 mW
Response Time10 µs
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time10 µs
Sensing Distance2.0066 mm
Voltage Rating (DC)1.3 V
Wavelength950 nm
Dimensions
Height5.2 mm
Length5 mm
Width4.2 mm