データシート & ドキュメント
ROHM RGWS60TS65GC13のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート10年前
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-09-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
説明
ROHM RGWS60TS65GC13の詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 650V 51A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
High-Speed Fast 650V 30A Trench IGBT
RS APAC
TRANS, IGBT, 1.6V, 51A, 156W, TO-247GE;
IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
IGBT TRENCH FS 650V 51A TO-247G
IGBT, SINGLE, 30V, 51A, TO-247GE; Continuous Collector Current:51A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:156W; Collector Emitter Voltage Max:30V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current51 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
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