ROHM RGTH60TK65DGC11

Name: ROHM RGTH60TK65DGC11
Brand: ROHM
SKU: RGTH60TK65DGC11

Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

$ 2.358

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST60281292	30	1		2.678	2.264	1.704	1.648	1.648	21h
Arrow Electronics		RGTH60TK65DGC11	30	1		1.700	1.700	1.700	1.700	1.700
Verical	2	RGTH60TK65DGC11	30	1		2.358	2.358	2.358	2.358	2.358
DigiKey		RGTH60TK65DGC11-ND	403	1	Tube	7.560	7.560	4.351	3.645	3.645
Farnell		RGTH60TK65DGC11	0	1		3.459*	3.309*	3.159*	3.037*	3.037*	1d

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IHS

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Trans IGBTChip N-CH 650V 28A 61W 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube

Verical

IGBT TRNCH FIELD 650V 28A TO3PFM

Easev

IGBT TRENCH FS 650V 28A TO-3PFM

DigiKey

TO-3PFMP 650V 30A FS TREN IGBT

Anglia

61W 1.6V 650V 28A TO-3PFM 16mm*5mm*21mm

UnikeyIC

IGBT, 650V, 28A, 175DEG C, 61W; DC Collector Current: 28A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 61W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-3PFM; No. of Pins: 3

Farnell

IGBT, SINGLE, 650V, 28A, TO-3PFM; Continuous Collector Current:28A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:61W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark