CADモデル
製造元 ROHM IMH21T110 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
ROHM IMH21T110の詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 20V 600MA 6PIN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 20V 600mA 300mW 6-Pin SMT T/R
150mV@ 2.5mA,50mA 2 NPN 300mW 12V 500nA 20V 20V 600mA SMD 2.9mm*1.6mm*1.1mm
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Continuous Collector Current600 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min820
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current600 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.2 mm
Length3 mm
Width1.8 mm