CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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関連部品
ToshibaMT3S20TU(TE85L)
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
説明
ROHM 2SD2702TLの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 12V 1.5A 800mW 3-Pin TUMT T/R
200mV@ 25mA,500mA NPN 800mW 6V 100nA 15V 12V 1.5A 2mm*1.7mm*770¦Ìm
Trans, Npn, 12V, 1.5A, 150Deg C, 0.4W; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:400Mw; Dc Collector Current:1.5A; Dc Current Gain Hfe:270Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SD2702TL
メーカーの別名
ROHMは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 ROHM は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
技術仕様
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage85 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Transition Frequency400 MHz