ROHM 2SB1386T100Q

Name: ROHM 2SB1386T100Q
Brand: ROHM
SKU: 2SB1386T100Q

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.224

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics		2SB1386T100Q	4,000	1K	Tape & Reel				0.155	0.150
DigiKey	3	2SB1386T100QCT-ND	3,002	1	Cut Tape	1.040	0.648	0.422	0.325	0.325
Farnell	2	2SB1386T100Q	0	1	Cut Tape	0.516*	0.516*	0.387*	0.176*	0.143*	1d
Win Source		WS-2SB1386T100Q	37,500	345					0.139	0.112	1h
Worldway Electronics	2	2SB1386 T100Q	17,411	7			0.308	0.299	0.283	0.283	1d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1994-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-08-15

LTD Date2012-08-15

説明

ROHM 2SB1386T100Qの詳細は販売業者から提供されます。

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

2SB1386 Series 20 V 5 A SMT PNP Low Frequency Transistor - SC-62

Future Electronics

Trans GP BJT PNP 20V 5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Avnet

TRANS. SOT-89;BCE PNP; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:120MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:82; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1V; Current Ic Continuous a Max:4A; Gain Bandwidth ft Typ:120MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

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