MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:3.3A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes; Package/Case:SO-8 RoHS Compliant: Yes

Newark

These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advance process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.<br> These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

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メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

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CADモデル

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代替部品

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技術仕様

Physical

Case/PackageSOIC N

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance100 mΩ

Fall Time7 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2 W

Rise Time7.5 ns

Turn-Off Delay Time20 ns

データシート & ドキュメント

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IHS

Datasheet3ページ27年前

コンプライアンス

環境分類

RoHSCompliant

準拠ステートメント

Reach Statement8ページ11年前

Rohs Statement1ページ13年前

Rohs Statement1ページ14年前

Reach Statement2ページ13年前