CADモデル
製造元 onsemi SFP9530 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
説明
onsemi SFP9530の詳細は販売業者から提供されます。
P-Channel 100 V 0.3 Ohm Flange Mount Advanced Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET P-CH 100V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
P-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
66W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 38nC@ 10V 1individualPChannel 100V 300m¦¸@ 5.3A,10V 10.5A 1.035nF@25V TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Oscillators 2.048MHz ±100ppm 4-UFBGA, CSPBGA Tape & Reel (TR) SiT8021 XO (Standard) MEMS 0.061Lx0.033W 1.54mmx0.84mm Surface Mount OSC MEMS 2.0480MHZ LVCMOS SMD
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.035 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation66 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation66 W
Rds On Max300 mΩ
Resistance300 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time13 ns