onsemi NXH300B100H4Q2F2SG

Name: onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: NXH300B100H4Q2F2SG

Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel

$ 124.428

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		NXH300B100H4Q2F2SG	36	1		143.22	143.22	143.22	143.22	143.22
Verical	2	NXH300B100H4Q2F2SG	2,883	3			145.53	136.79	128.06	128.06
Arrow Electronics		NXH300B100H4Q2F2SG	36	12				210.66	210.66	210.66
Rochester Electronics		NXH300B100H4Q2F2SG	2,883			116.42	116.42	109.43	102.45	102.45	14h
DigiKey		5556-NXH300B100H4Q2F2SG-ND	36	1	Tray	145.36	145.36	121.67	121.67	121.67

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IHS

Datasheet14ページ3年前

Master Electronics

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-06-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi NXH300B100H4Q2F2SGの詳細は販売業者から提供されます。

Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode

onsemi

Trans IGBT Module N-CH 1000V 73A 194mW Tray

Verical

MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV

Easev

IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM

DigiKey

IGBT MODULE, 1KV, 73A; Continuous Collector Current:73A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.8V; Power Dissipation:194W; Operating Temperature Max:175°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:1kV RoHS Compliant: Yes

Newark