価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVTFS5C454NLTAG | 115,500 | 1500 | 7h | ||||||||
| DigiKey | 488-NVTFS5C454NLTAGCT-ND | 1,108 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | NVTFS5C454NLTAG | 0 | 1500 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NVTFS5C454NLTAG | 0 | 375 | Bulk | ||||||||
| Master Electronics | NVTFS5C454NLTAG | 0 | 375 |
CADモデル
製造元 onsemi NVTFS5C454NLTAG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NVTFS5C454NLTAGの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 85A, 4.0mΩ 1500 / Tape & Reel
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
Single N-Channel Power Mosfet 40V, 85A, 4.0M 1500/Tape & Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVTFS5C454NLTAG
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
Power MOSFET40 V, 4.0 m, 85 A, Single NChannel
40V 85A 3.3m´Î@10V20A 55W 2.2V@50uA 21pF@25V N Channel 1.6nF@25V 8.2nC@4.5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) WDFN-8 MOSFETs ROHS
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.3 ns
Dimensions
Height850 µm