価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVMFS5C646NLAFT1G | 326,000 | 782 | 5h | ||||||||
| DigiKey | 488-NVMFS5C646NLAFT1GCT-ND | 1,110 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | NVMFS5C646NLAFT1G | 135,000 | 4d | |||||||||
| Newark | NVMFS5C646NLAFT1G | 0 | 1500 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NVMFS5C646NLAFT1G | 0 | 375 | Bulk |
CADモデル
製造元 onsemi NVMFS5C646NLAFT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NVMFS5C646NLAFT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 93A, 4.7mΩ 1500 / Tape & Reel
N-Channel 60 V 4.7 mohm 79 W Surface Mount Power Mosfet - DFN-5
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 60V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN / N-Channel 60 V 20A (Ta), 93A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
3.7W(Ta),79W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 33.7nC@ 10 V 1N 60V 4.7m¦¸@ 50A,10V 20A,93A 2.164nF@25V SO 4.9mm*5.9mm*1.05mm
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)93 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance6.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Turn-Off Delay Time23.6 ns
Turn-On Delay Time10.4 ns
Dimensions
Height1.15 mm