onsemi NVD5C688NLT4G

Name: onsemi NVD5C688NLT4G
Brand: onsemi
SKU: NVD5C688NLT4G

Single N-Channel Power MOSFET 60V, 17A, 27.4mΩ DPAK 2500 tape and reel

$ 0.758

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	NVD5C688NLT4G	100,000	3334						0.601	1d
Verical	3	NVD5C688NLT4G	2,400	2			1.401	0.993	0.759	0.680
Arrow Electronics	3	NVD5C688NLT4G	2,500	1		1.749	1.121	0.740	0.692	0.692
Rochester Electronics		NVD5C688NLT4G	2,500					0.862	0.715	0.638	6h
DigiKey	3	NVD5C688NLT4GOSCT-ND	3,793	1	Cut Tape	2.450	1.575	1.072	0.787	0.787

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Master Electronics

onsemi

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

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Single N-Channel Power MOSFET 60V, 17A, 27.4mΩ DPAK 2500 tape and reel

onsemi

Transistor MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin TO-252 T/R

Avnet Japan

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Richardson RFPD

Compliant 2.51 mm Production (Last Updated: 2 years ago) 2.9 W 1 8 ns 11 ns

Augswan

onsemi NMOS NVD5C688NL-D, Vds=60 V, 17 A, DPAK (TO-252), , 3

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0228ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.1V; Power Dissipation Pd: 18W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)

Farnell