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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-12-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

LTB Date2019-01-26

LTD Date2019-07-26

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

説明

onsemi NVD5807NT4Gの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel Power MOSFET 40V, 23A, 31mΩ Power MOSFET 40V 23A 31 mOhm Single N-Channel DPAK

onsemi

Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Verical

23 A 40 V 0.031 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252

element14 APAC

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.02Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes

Newark

画像

element14 APAC

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageDPAK

Number of Pins4

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)23 A

Drain to Source Breakdown Voltage40 V

Drain to Source Resistance31 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)40 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance603 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation33 W

Min Breakdown Voltage40 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation33 W

Rds On Max31 mΩ

Rise Time20.4 ns

データシート & ドキュメント

onsemi NVD5807NT4Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。