CADモデル
製造元 onsemi NTTFS1D2N02P1E のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-09-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NTTFS1D2N02P1Eの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET N-CH 25V 180A 8-Pin PQFN T/R
Avnet Japan
MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 1.0mW, 180 A MOSFET - Power, Single N-Channel, Power33, 25V, 1.0mW, 180 A
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin PQFN EP Reel
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN / N-Channel 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
25V 180A 0.86m´Î@10V38A 52W 2V@934Ã×A 68pF@13V N Channel 4.04nF@13V 24nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) PQFN-8 MOSFETs ROHS
MOSFET, N-CH, 25V, 180A, 150DEG C, 52W;
Small Signal Field-Effect Transistor, 180A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.7 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time14.8 ns
Dimensions
Height800 µm