価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NTMS4800NR2G | 24,036 | 1713 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTMS4800NR2G | 24,036 | 5h | |||||||||
| Microchip USA | NTMS4800NR2G | 2,207 | 3500 | Tray | 22h | |||||||
| Win Source | WS-NTMS4800NR2G | 9,680 | 9 | 6h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTMS4800NR2G | 6,992 | 7 | Tape & Reel | 5h |
CADモデル
製造元 onsemi NTMS4800NR2G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
Diodes Inc.DMN4468LSS-13
1.52W(Ta) 20V 1.95V@ 250¦ÌA 18.85nC@ 10 V 1N 30V 14m¦¸@ 11.6A,10V 10A 867pF@10V SOIC-8 1.5mm
説明
onsemi NTMS4800NR2Gの詳細は販売業者から提供されます。
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 4.9A Ta 6.4A 2W 6.5ns
Trans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Power MOSFET, 30 V, 8.0 A, N-Channel
Power MOSFET 30V 8A N Channel SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance940 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.29 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time4 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns