データシート & ドキュメント
onsemi NTMFS015N10MCLT1Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート3年前
CADモデル
製造元 onsemi NTMFS015N10MCLT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-01-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NTMFS015N10MCLT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel Power MOSFET 100V, 54A, 12.2mΩ
onsemi NChannelMOSTube, Vds=100 V, 54 A, DFN5encapsulation, surface mount, 5Pin
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
MOSFET PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
Power MOSFET N-Channel 100V 54A 5-Pin DFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN / N-Channel 100 V 10.5A (Ta), 54A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 54A, DFN;
MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
ON Semiconductor NTMFS015N10MCLT1G
RS APAC
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageDFN
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)54 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance12.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation79 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm