価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | NTMFS002P03P8ZT1G | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NTMFS002P03P8ZT1G | 0 | 25 | Bulk | ||||||||
| Avnet | NTMFS002P03P8ZT1G | 0 | 1500 | 21h | ||||||||
| Master Electronics | NTMFS002P03P8ZT1G | 0 | 25 | |||||||||
| Arrow Electronics | NTMFS002P03P8ZT1G | 0 | 1500 |
CADモデル
製造元 onsemi NTMFS002P03P8ZT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
説明
onsemi NTMFS002P03P8ZT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, P-Ch, 30V, 226A, Soic Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS002P03P8ZT1G
NTMFS Series 30 V 1.4 m Ohm 3.3 W Surface Mount P-Channel Power Mosfet - SO-8 FL
MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL
Trans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
Power Field-Effect Transistor, 34.6A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO / P-Channel 30 V 40.2A (Ta), 263A (Tc) 3.3W (Ta), 138.9W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
onsemi PMOS, Vds=30 V, 263 A, SO-8FL, , 8
ON Semiconductor NTMFS002P03P8ZT1G
RS APAC
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)34.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation138.9 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation138.9 W
Turn-Off Delay Time280 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height1.1 mm