onsemi NTH4L045N065SC1

Name: onsemi NTH4L045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L045N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Newark		NTH4L045N065SC1	64	1	3.150	3.150	3.150	3.150	3.150
Rochester Electronics		NTH4L045N065SC1	243,420				7.090	6.340	5.970	16h
Verical	3	NTH4L045N065SC1	93	1	6.631	6.631	6.631	6.631	6.631
Arrow Electronics	2	NTH4L045N065SC1	884	1	6.500	6.500	6.500	6.500	6.500

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Technical Drawing1ページ6年前

IHS

Farnell

Future Electronics

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-03-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

説明

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

onsemi

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

EBEE

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 650V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

650V 55A 33m´Î@18V25A 187W 2.8V@8mA 14pF@325V N Channel 1.87nF@325V 105nC@-5~18V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4L MOSFETs ROHS

Dasenic

Sic Mosfet, N-Ch, 18V, 55A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:187W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L045N065SC1

Newark