価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NTGS1135PT1G | 17,380 | 11h | |||||||||
| Verical | NTGS1135PT1G | 3,000 | 971 | |||||||||
| Win Source | WS-NTGS1135PT1G | 33,300 | 120 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTGS1135PT1G | 15,660 | 7 | Tape & Reel | 12h | |||||||
| Esaler Electronic | NTGS1135PT1G | 699 | 1d |
CADモデル
製造元 onsemi NTGS1135PT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-07-21
LTD Date2011-01-21
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
InfineonIRFTS9342TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
説明
onsemi NTGS1135PT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET 8V 4.6A 31 mOhm Single P-Channel TSOP-6
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel Single Mosfet Transistor 4.6A Ta 4.6A 1.6W 3.9ns
P CHANNEL MOSFET, -8V, 4.6A, TSOP; Trans
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance31 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance2.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max31 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time128 ns