価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | NTD4813NT4G | 2,296 | 600 | Tray | 10h | |||||||
| Win Source | WS-NTD4813NT4G | 20,200 | 175 | 16h | ||||||||
| Worldway Electronics | NTD4813NT4G | 16,262 | 7 | Tape & Reel | 15h | |||||||
| Fmall Co., Limited | NTD4813NT4G | 40,460 | >1wk | |||||||||
| Aztech | NTD4813NT4G | 5,890 | 11h |
CADモデル
製造元 onsemi NTD4813NT4G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-07-24
LTD Date2012-01-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi NTD4813NT4Gの詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET 30V 40A 13 mOhm Single N-Channel DPAK
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 40A 13MOHM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.6A Ta 40A Tc 9A 1.94W 19.3ns
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance860 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.27 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.94 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time19.3 ns
Turn-Off Delay Time10.1 ns
Turn-On Delay Time10.5 ns
Voltage Rating (DC)30 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント