CADモデル
製造元 onsemi NSBC143ZPDXV6T5G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-11-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2008-03-31
LTD Date2008-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
関連部品
onsemiNSBA144EDXV6T5
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiNSBA143ZDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiNSBA123JDXV6T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDC114EH-7
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
ToshibaRN1910FE,LF(CT
300mV@ 250¦ÌA,5mA 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mW 5V 100nA 50V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm
ToshibaRN4902FE,LF(CT
Transistor Silicon PNP-NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
説明
onsemi NSBC143ZPDXV6T5Gの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-563
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation500 mW
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height600 µm