onsemi NGTB15N120IHLWG

Name: onsemi NGTB15N120IHLWG
Brand: onsemi
SKU: NGTB15N120IHLWG

Igbt Single Transistor, 30 A, 1.8 V, 156 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	NGTB15N120IHLWG	125					1.290	1.160	1.090	12h
RS (Formerly Allied Electronics)	NGTB15N120IHLWG	0	1	Bulk	5.900	5.900	5.900	5.900	5.900	3h
Farnell	NGTB15N120IHLWG	0	1		2.312*	2.312*	1.882*	1.275*	1.028*	12h
Win Source	WS-NGTB15N120IHLWG	24,000	45				1.346	0.897	0.897	13h
Worldway Electronics	NGTB15N120IHLWG	17,698	7	Tube		0.899	0.882	0.848	0.848	7h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-03-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2017-01-22

LTD Date2017-07-22

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi NGTB15N120IHLWGの詳細は販売業者から提供されます。

Igbt Single Transistor, 30 A, 1.8 V, 156 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes

Newark

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Avnet

IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating

onsemi

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

Incorporated into the device is a rugged co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Win Source

IGBT, 1200V, 30A, TO247; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 156W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins;

Farnell