onsemi NDT2955

Name: onsemi NDT2955
Brand: onsemi
SKU: NDT2955

Transistor MOSFET P-Channel 60V 2.5A 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

$ 0.295

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	NDT2955	1,172,000	4K	Tape & Reel					0.290
Avnet	3	NDT2955	4,242	4167						0.204	1d
Newark	2	NDT2955	1,130	1	Cut Tape	1.060	1.060	0.365	0.295	0.277
Verical	6	NDT2955	244,000	4K						0.209
Arrow Electronics	3	NDT2955	1,500	1		1.178	0.736	0.482	0.338	0.338

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Master Electronics

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Farnell

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

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説明

onsemi NDT2955の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET P-Channel 60V 2.5A 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Jameco

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 0.3ohm; 3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223

Maritex

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -2.5A, 300mΩ

onsemi

Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223

Future Electronics

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount

Avnet

This 60V P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s high voltage Trench process. It has been optimized for power management plications.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P-CH, 60V, 2.5A, SOT-223, RL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -

Farnell

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -2.5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 500 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 12 / Rise Time ns = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 1.1

Distrelec

MOSFET, P CH, 60V, 2.5A, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.6V; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:3W; Power Dissipation Pd:3W; Pulse Current Idm:15A; SMD Marking:2955; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:-2.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:-4V

element14 APAC