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onsemi NDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
Obsolete
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販売業者
SKU
最小
パッケージ
バルク価格
Microchip USA
NDS351N
2,706
600
Tray
USD
1.105
1.105
7d
Component Search
NDS351N
710
1h
Win Source
WS-NDS351N
6,200
290
USD
0.166
0.135
1h
Worldway Electronics
NDS351N
29,057
7
Tray
USD
0.091
0.089
0.085
0.084
1d
Fmall Co., Limited
NDS351N
14,220
USD
0.125
0.125
0.117
0.110
0.101
>1w

データシート & ドキュメント

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IHS

Datasheet8ページ4年前
Datasheet7ページ28年前

Farnell

onsemi

Fairchild Semiconductor

CADモデル

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ソースeCADmCADファイル
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シンボルフットプリント
3D
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フットプリント
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サプライチェーン

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

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-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS
詳細
InfineonIRLML2803GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
詳細

説明

onsemi NDS351Nの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ
onsemi
30V 1.1A 500mW 160m´Î@10V1.4A 2V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Mosfet, N-Ch, 30V, 1.1A, Supersot-3; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:1.1A; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V Rohs Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N SOT-23; Transistor type:MOSFET; Current, Id cont:1.1A; Resistance, Rds on:0.2ohm; Case style:SOT-23 (TO-236); Current, Idm pulse:10A; Depth, external:2.5mm; Length / Height, external:1.12mm; Marking, SMD:351; Pins, No. of:3; Power dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:SMD; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:30V; Voltage, Vgs th max:2V; Width, external:3.05mm; Width, tape:8mm
Farnell
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor

画像

Newark
RS
Farnell
Newark
Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

  • NDS351N.