CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.044
$ 0.077
Stock
91,392
80,962
Authorized Distributors
1
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-226-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
12 V
-
Max Collector Current
50 mA
50 mA
Transition Frequency
1.5 GHz
1.5 GHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
hFE Min
20
20
Power Dissipation
350 mW
350 mW
サプライチェーン
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiKSC2310YBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 10mA 5V 50mA 800mW 100MHz
onsemiFJNS3201RTA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92S
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Bulk Through Hole NPN KSC2001 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 1V 700mA 600mW 170MHz
説明
onsemi MPS3563Gの詳細は販売業者から提供されます。
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
Small Signal Amplifier NPN
RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
MPS3563G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Gain14 dB
Gain Bandwidth Product1.5 GHz
hFE Min20
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency1.5 GHz
Voltage Rating (DC)12 V