onsemi MMUN2235LT1G

Name: onsemi MMUN2235LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMUN2235LT1G

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW SM

$ 0.039

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MMUN2235LT1G	57,000	3K						0.017	23h
Newark	3	MMUN2235LT1G	57,000	3K	Tape & Reel					0.017
Verical		MMUN2235LT1G	2,448	110					0.049	0.049
Arrow Electronics		MMUN2235LT1G	2,448	1		0.115	0.056	0.041	0.027	0.027
Future Electronics		MMUN2235LT1G	108,000	3K	Tape & Reel					0.021

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Master Electronics

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IHS

Future Electronics

element14 APAC

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi MMUN2235LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW SM

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB

IHS

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Npn Digital Transistor (B Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMUN2235LT1G

Newark

TRANS, AEC-Q101, NPN, 50V, 0.1A, SOT-23; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47k

Farnell