価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | MMBTA14LT1G | 1,707,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MMBTA14LT1G | 6,000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | MMBTA14LT1G | 6,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Master Electronics | MMBTA14LT1G | 78,000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | MMBTA14LT1G | 78,000 | 3K | Bulk |
CADモデル
製造元 onsemi MMBTA14LT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMMBTA13LT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
説明
onsemi MMBTA14LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistors (BJT); MMBTA14LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 30 V; 300 mA
NPN SILICON DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pins
MMBT Series 30 V 300 mA NPN Silicon Darlington Amplifier Transistor - SOT-23
NPN Bipolar Darlington Transistor
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:300mA; DC Current G
Darlington Npn, 300 Ma, 30 V, Full Reel; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:30V; Frecuencia De Transición Ft:125Mhz; Disipación De Potencia Pd:225Mw; Corriente De Colector Dc:300Ma; Núm. De Contactos:3 |Onsemi MMBTA14LT1G
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current300 mA
Current Rating300 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current300 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント