CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiMMBTA06LT1G
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, DRIVER, VCEO 80VDC, IC 500MA, PD 225MW, SOT-23,VCBO 80VDC
onsemiMMBTA06LT3G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
onsemiMMBTA06LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
説明
onsemi MMBT8099LT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
ON Semi MMBT8099LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23
MMBT Series 80 V 500 mA Surface Mount NPN Silicon Amplifier Transistor SOT-23-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor NPN 80V 500mA Amplifier SOT23
RS APAC
80V 225mW 500mA 100@1mA5V 150MHz 400mV@100mA5mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 150hFE; Transistor Case Style: SOT-2
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min75
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント