CADモデル
製造元 onsemi MMBT2132T3G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 0.077
$ 0.077
$ 0.077
Stock
114,471
189,624
189,624
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SC
SC
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
30 V
30 V
Max Collector Current
700 mA
700 mA
700 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
1 V
1 V
hFE Min
150
150
150
Power Dissipation
342 mW
-
-
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-05-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2007-07-02
LTD Date2008-01-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
説明
onsemi MMBT2132T3Gの詳細は販売業者から提供されます。
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 150 @ 100mA 3V 1muA ICBO 342mW 40V
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Compliant Surface Mount 1.1 mm 150 NPN Lead Free Tape & Reel (TR) SC
Trans GP BJT NPN 30V 0.7A 665mW 6-Pin SC-74 T/R
MMBT2132T3G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating700 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min150
Max Collector Current700 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation342 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation342 mW
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.1 mm