CADモデル
製造元 onsemi MJW21196G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi MJW21196Gの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Through Hole
Bipolar Transistor, NPN, 250 V, 16 A
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / TRANS NPN 250V 16A TO247
MJL Series 250 V 16 A Flange Mount NPN Silicon Power Transistor - TO-247
The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output disk head positioners and linear applications.
TRANSISTOR, BIPLOAR NPN 16A TO247; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 16A; DC Current Gain hFE: 20hFE; Transistor C
TRANSISTOR, NPN, 250V, 16A, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:250V; Continuous Collector Current:16A; Power Dissipation:200W; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:- RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating16 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min8
Max Collector Current16 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height21.08 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント